損耗角正切（TAN）
這是一個在電容器的能量損耗的測量。它表示，為棕褐色，是電容器的功率損耗其無功功率分為一組指定的正弦電壓頻率。也用的術(shù)語是功率因數(shù)，損耗因子和介電損耗。 COS（90 - ）是真正的功率因數(shù)。 “使用測量進行測量譚橋梁，提供一個0.5V RMS120Hz的正弦信號，免費諧波的2.2Vdc的偏見。

耗散因數(shù)（D.F.）。
耗散因數(shù)測量的切線損耗角（TAN），以百分比表示。測量DF是開展測量橋梁供應(yīng)一個0.5V RMS120Hz的正弦信號，免費諧波與偏見2.2Vdc。 DF值是溫度和頻率依賴性。注意：對于表面貼裝產(chǎn)品所允許的最大DF值表示的收視率表是很重要請注意，這些限額會見了由組件后基板上焊接。

耗散因數(shù)的頻率依賴性
隨著頻率的增加損耗因數(shù)所示鉭和OxiCap廬電容器的典型曲線相同的：

耗散與溫度的關(guān)系
耗散系數(shù)隨溫度變化的典型曲線表演。這些地塊是鉭和OxiCap相同®電容器。對于最高限額，請參閱的評分表。

AVX鉭電容的阻抗(Z)。
這是電流電壓的比值，在指定的頻率。三個因素促成了鉭電容器的阻抗;半導(dǎo)體層的電阻電容價值和電極和引線電感。在高頻率導(dǎo)致的電感成為一個限制因素。溫度和頻率的行為確定這三個因素的阻抗行為阻抗Z。阻抗是在25° C和100kHz。

AVX鉭電容的等效串聯(lián)電阻ESR。
阻力損失發(fā)生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機制，包括電阻元件和觸點，粘性勢力內(nèi)介質(zhì)和生產(chǎn)旁路的缺陷電流路徑。為了表達對他們的這些損失的影響視為電容的ESR。 ESR的頻率依賴性和可利用的關(guān)系;ESR=譚δ2πfC其中F是赫茲的頻率，C是電容法拉。ESR是在25 ° C和100kHz的測量。ESR是阻抗的因素之一，在高頻率（100kHz和以上）就變成了主導(dǎo)因素。從而ESR和阻抗幾乎成了相同，阻抗僅小幅走高。

AVX鉭電容的阻抗和ESR的頻率依賴性。
ESR和阻抗都隨頻率的增加。在較低頻率值作為額外的貢獻分歧阻抗（由于電容器的電抗）變得更加重要。除了1MHz的（和超越電容的諧振點）阻抗再次增加由于電感，電容的。典型ESR和阻抗值是類似的鉭，鈮氧化物材料，從而在相同的圖表都有效鉭電容和OxiCap®電容器。

AVX代理談鉭電容的阻抗與溫度的關(guān)系
和ESR。在100kHz，阻抗和ESR的行為相同，隨著溫度的升高下降的典型曲線

鉭電容的浪涌電壓

是指電容在很短的時間經(jīng)過最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms（CECC國家1KΩ）能承受的最高電壓。浪涌電壓，常溫下一個小時時間內(nèi)可達到高達10倍額度電壓并高達30秒的時間。浪涌電壓只作為參考參數(shù)，不能用作電路設(shè)計的依據(jù)，在正常運行過程中，電容應(yīng)定期充電和放電。

不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85度及以下溫度時，分類電壓VC等于額定電壓VR，浪涌電壓VS等于額度電壓VR的1.3倍；在85到125度時，分類電壓VC等于額定電壓VR的0.66倍，浪涌電壓VS等于分類電壓VC的1.3倍。

AVX鉭電容能承受的電壓和電流浪涌能力是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個值夠高的電應(yīng)力會穿過電介質(zhì)，從而破壞了介質(zhì)。例如一個6伏的鉭電容在額定電壓運行時，有一個167千伏/毫米電壓的電場。因此一定要確保整個電容器終端的電壓的決不會超過規(guī)定的浪涌電壓評級。作為鉭電容負極板層使用的半導(dǎo)體二氧化錳有自愈能力。然而，這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容，增加了元件的可靠性。AVX公司推薦降級表“（第119頁）總結(jié)額定電壓使用上常見的電壓軌跡，低阻抗鉭電容在電路進行快速充電或放電時，保護電阻建議為1Ω/ V。如果達不到此要求應(yīng)使用鉭電容器降壓系數(shù)高達70％。在這種情況下，可能需要更高的電壓比作為一個單一的電容。 A系列組合應(yīng)被用來增加工作電壓的等效電容器：例如，兩個22μF25V系列部分相當(dāng)于一個11μF50V的一部分。

鉭電容的反向電壓

AVX鉭電容的反向電壓是有嚴格的限制的，具體如下：

在1.0V 25° C條件下最大為10％的額定直流工作電壓
在0.5V 85° C條件下最大為3％的額定直流工作電壓
在0.1V 125℃條件下最大為1％的額定直流工作電壓
反向電壓值均以鉭電容在任何時間上的最高電壓值為準。這些限制是假設(shè)鉭電容器偏振光在其大多數(shù)的正確方向工作壽命。他們的目的是涵蓋短期逆轉(zhuǎn)如發(fā)生在開關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個印象深刻的波形的一小部分。連續(xù)施加反向電壓會導(dǎo)致兩極分化，將導(dǎo)致漏電流增大。在在何種情況下連續(xù)反向應(yīng)用電壓可能會出現(xiàn)兩個類似的電容應(yīng)采用與負端接背回配置連接在一起。在大多數(shù)情況下這種組合將有一個標稱電容的電容的一半無論是電容。在孤立的脈沖條件或在最初幾個周期內(nèi)，電容可能的方法完整的標稱值。反向電壓等級的設(shè)計蓋小級別游覽得天獨厚的條件弄錯極性。引用的值是不打算覆蓋連續(xù)的反向操作。

鉭電容的疊加交流電壓（Vr.m.s.）------又稱紋波電壓

這是最大的r.m.s.交流電壓;疊加一個特區(qū)電壓，可應(yīng)用到一個電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超過該類別電壓，v.c.第2節(jié)中的全部細節(jié)

鉭電容的成型電壓。
這是在陽極氧化形成的電壓。 “這個氧化層的厚度是形成電壓成正比一個電容器，并在設(shè)置額定電壓的一個因素。

AVX鉭電容的頻率特性

我們知道每種電容都有它的頻率特性,那么AVX鉭電容的頻率特性是怎么樣的呢?
AVX鉭電容隨著頻率的增加有效電容的值會減小，直到共振達到（通常視0.5 - 5MHz的之間該評級）。除了共振頻率的設(shè)備變得感性。除了100kHz的電容繼續(xù)下降。

下面以AVX貼片鉭電容E型的220UF 10V規(guī)格為例,來說明鉭電容的頻率特性.